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人工电源网络应通过低射频阻抗连接到参考地2019-2-1 20:20:09
尽管人工电源网络对电源输人有滤波隔离作用,但其隔离度有限。为了确GFB70N03保在所有测试频率上存在于供电电源上的无用信号不影响测量,需要在人工电源网络和供电电源之间插人一附加的射频低通滤波器...[全文]
贴片工艺后需要用高温将银胶烤干同化2019-2-1 11:02:08
贴片工艺后需要用高温将银胶烤干同化,温度为175℃,时间为l小时。烘焙的同KA358ADTF时,需要在烤箱中通氮气,防止芯片及支架表面氧化,造成后序I艺无法完成打线键合。银胶烘焙固化后,需要测量...[全文]
透过触发器构成的电路来控制和观测电路内部状态2019-2-1 10:54:16
测性没计(designfortestability△)FT)是在微电子芯片产品设计屮加入F先进的测试设计,KA339DTF使得所涉及芯片的制造测试、开发和应用变得更为容易和便宜。扫...[全文]
扫描电子显微镜由电子光学系统2019-2-1 10:19:39
电子枪发射电子,经过聚焦后轰击在样品表面,激发出二次电子。二次电子的信号强度随样品表面特征而变,扫描系统在控制电子束扫描样品表面的同时,控制显示器的阴极射线管电子束在荧光屏上作同步扫描。KA27...[全文]
CMOS和存储器制造流程的知识不仅对加工工程师和器件工程师十分必2019-1-28 22:21:18
MB逻辑电路的制造技术是超大规模集成电路(VIsI)半导体工业的基础。节将会描述现代CMOS逻辑制造流程,用以制造NMOS和PM(E晶体管。现今,典型的CMOS制造I艺会添加一些额外的流程模块来...[全文]
随着集成电路技术节点的不断减小以及互连布线密度的急剧增加2019-1-28 22:12:50
AID相比传统的M()CVD和PVD等沉积△艺具有先天的优势。它充分利用表面饱和反应天生具各厚度控制能力及高度的稳定性,对温度和反应物通量的变化不太敏感。M24C08-WMN6P这样得到的薄膜既...[全文]
场效应晶体管垂直沟道方向2019-1-28 21:58:01
为进一步提高器件性能,降低漏电流,⒛12年,IBM的研究人员提出并实验了一种Ⅸ)I平面结构无结场效应晶体管,其沟道掺杂浓度采用梯度分布,由表及里浓度逐渐降低,M24C04-WMN6TP件的性能进...[全文]
理论上MOsFET的栅极应该尽可能选择导电性良好的导体2019-1-28 21:34:34
一对N沟道和P沟道MOS管以推挽形式△作,构成互补的金属氧化物半导体器件(ComplemexltaryMetalC)xideSemi∞nductor,CMOS)。其组成的反相器基本...[全文]
若MOS晶体管在强反型下主要的载流子是电子2019-1-28 21:30:08
这种类型的MC)SFET通常制作于P型半导体衬底上,由两个高传导率的N型半导体源极和漏极,M1MA151WAT1G通过反向偏置的PN结二极管将其与P型半导体衬底隔离,栅极氧化物将栅极与半导体衬底...[全文]
达林顿三极管2019-1-25 19:13:29
达林顿三极管1.外形与符号达林顿三极管又称复合三极管,它是由两只或两只以上三极管组成并封装为一体的三极管。达林顿三极管外形如图⒎21(a)所示,图⒎21(b)是两种常...[全文]
三种状态下PN结的特点和各极电压关系2019-1-25 18:46:30
三种状态下PN结的特点和各极电压关系三极管内部有集电结和发射结,在不同状态下这两个∷的结构与二极管相同,在分析时为了方便,可将三极管的两个PN结画成二极管的符号。MAX1036ME...[全文]
变容二极管的主要参数有结电容、结电容变化范围和最高反向电压等2019-1-24 19:21:13
变容二极管的主要参数有结电容、结电容变化范围和最高反向电压等。(1)结电容结电容指两端加一定反向电压时变容二极管PN结的容量。(2)结电容...[全文]
整流桥又称整流桥堆2019-1-24 16:22:31
整流桥又称整流桥堆,它内部含有多个整流二极管,整流桥有半桥和全桥之分。HCF4538BEY(1)整流半桥半桥内部有两个二极管,根据二极管连接方式不同,可分为共阴极半桥...[全文]
固定电容器可分为无极性电容器和有极性电容器2019-1-23 20:23:34
固定电容器可分为无极性电容器和有极性电容器。1.无极性电容器PIC18F86J10-I/PT无极性电容器的引脚无正、负极之分。无极性电容器的电路符...[全文]
测量绕组间绝缘电阻2019-1-23 19:52:05
测量绕组间绝缘电阻万用表拨至R×1Cll0挡,红、MP1495DJ-LF-Z黑表笔分别接变压器一、二次绕组的一端,如图⒋11(b)所示,然后在刻度盘上读出阻值大小。图中显示的是阻值...[全文]
排阻的种类及结构2019-1-23 15:28:48
种类与结构根据内部电路结构不同,排阻种类可分为A、B、C、D、E、F、G、H、I。排阻虽FSTD16861MTD然种类很多,但最常用的为A、B类。排阻的种类及结构见表3-7。...[全文]
阻器是一种对压力敏感的电阻器2019-1-23 15:21:15
阻器是一种对压力敏感的电阻器,当施加FSD210BM给它的压力变化时,其阻值也会随之变化。1.外形与符号力敏电阻器外形与符号如图3-40所示。...[全文]
挡位开关的助能是选择不同的测量挡位2019-1-21 22:02:55
挡位开关的助能是选择不同的测量挡位。挡位开关如图⒉3所示。I0OOV、2500V挡(共用)交流电压挡交流10V、电容量、电感量和音频电平挡(共用)A3933SEQ旋钮...[全文]
电路处于通路状态的特点有2019-1-21 21:48:41
电路的三种状态A29L800TV70KB07电路有三种状态:通路、开路和短路,这三种状态的电路如图⒈5所示。(a)通路(b)开路(c)短路...[全文]
系统间EMC标准主要规定了经过协调的不同系统问的EMC要求2019-1-20 17:24:48
中国的EMC标准体系正在逐步完善中c参照国际上的分类方法,结合我国实际情况,也可将我国的EMC标准分为以下四类,即基础标准(Ba“c⒌andams)、K22X-B25S-NJ通用标准(GeneⅡ...[全文]
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