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电磁屏蔽室是对电磁场起隔离作用的设备2019-2-1 20:26:00
电磁屏蔽室是对电磁场起隔离作用的设备,按标准要求许多试验项目必须在屏蔽室内完成。GM2621-LF它是一个由低电阻金属材料制成的封闭室体,利用电磁波在金属体表面产生反射和涡流而起到屏蔽作用。当它...[全文]
电源端子及其他端子骚扰电压/电流2019-2-1 20:15:11
电磁兼容标准要求的主要检测项目(1)电源端子及其他端子骚扰电压/电流。(2)辐射骚扰场强及骚扰功率。GD82550PM(3)静电放电抗扰度。...[全文]
芯片在使用早期会有较高的失效比率2019-2-1 10:49:28
依照可靠性的浴缸曲线,芯片在使用早期会有较高的失效比率,即早夭期。老化用KA337TU来筛选出使用寿命短的芯片,使失效率降低。老化在高温125℃,1.2~1.4倍⒕u高电压下进行,依照产品的可靠...[全文]
分辨率是扫描电子显微镜的主要性能指标2019-2-1 10:21:35
分辨率是扫描电子显微镜的主要性能指标,它是指在图像上能分辨出的两个亮点之间的最小问距c影响扫描电镜分辨率的主要囚素一是扫描电子束斑直径,KA2901DTF一般认为扫捕电镜能分辨的最小间距不可能小...[全文]
为了缓解结等比例缩小势,并不以结电阻为代价来减小重叠电容2019-1-30 19:43:25
是一个用来限定结和深源/漏结宽度的自对准技术。它的宽度、高度和物理特性,HCF40106BE成为等比例缩小CM(E技术的关键。为了缓解结等比例缩小势,并不以结电阻为代价来减小重叠电容,在栅的侧壁...[全文]
电子温度的分布通常遵循沉积功率的分布2019-1-30 19:28:50
应器的几何尺寸比(半径/高度)。通常相对于线圈中间,沉积功率会在偏离轴心的位置产生最大值。HAT2189WP-EL-E然而,离子的峰值在轴心~上,并迅速衰减。偏离轴心的最大值都小于...[全文]
浸没式光刻也遇到一系列技术挑战2019-1-30 17:01:29
这张表的线宽数据仅供示意用,不过,它们代表的信息是准确的。如果我们选择第二行:JMK212BJ475KG-T线宽为100nm,它随着槽宽的增加而减小.至刂达一个最小值后叉逐渐恢复一点,最后稳定在...[全文]
与设计图形在给定的离焦后的差异2019-1-30 16:57:34
白动的方式巾基于模型的方式会根据空问像的需要白动地在某些孤立的图形边上增加亚衍射散射条。JDV2S09S这种做法町以根据一系列验证过的规则(如以上提到的例子),或者纯粹根据仿真的做法。当然这种仿...[全文]
光电子能谱(XPS)是一种比较有效的测量膜厚和组成成分的工具2019-1-29 11:02:28
跟超薄⒏O2一样,当Si()N氧化介电层越来越薄时,氮氧化硅膜厚、组成成分、JM38510/11001BCA界面态等对器件电学性能的影响越来越重要,同时这些薄膜特性的表征也越来越困难,往往需要几...[全文]
无结全包围圆柱形沟道栅晶体管2019-1-29 9:44:13
与器件的源漏区掺有相同类型的杂质(在图中为P型)我们发展了一种栅极将圆柱体沟道全部包围的GAACJI冫T全新制作工艺。JM38510/10102BCA首先,在SOI衬底上对N型与P...[全文]
用于NMOS器件的可以是铪化物与一种带有更多正电性的绝缘材料2019-1-28 22:15:43
另一种实现高虑绝缘材料/金属栅电极的技术解决方案是,沉积两种不同的绝缘材料来取代不同功函数的金属。M24C08-WMN6TP用于NMOS器件的可以是铪化物与一种带有更多正电性的绝缘材料,如氧化镧...[全文]
集成电路工业在系统需求增长的推动下2019-1-28 22:03:11
集成电路工业在系统需求增长的推动下,如摩尔定律(大约每2准个月芯片上集成元件的数量就翻一番)所描述的,密度和性能方面持续地和系统化地不断增长,持续降低的功能单位成本(costpcrfunctio...[全文]
当MOSFET的器件尺寸缩得非常小2019-1-28 21:36:39
不过虽然多晶硅在过去的二十多年里已成为制造ⅣR)SFET栅极的标准,但也有M24256-BWMN6TP若干缺点使得工业界在先进CMOS器件产品中使用高介电常数的介质和金属栅极(High虑etal...[全文]
三极管的类型检测2019-1-25 18:57:57
类型检测三极管的类型检测如图⒎13所示。图⒎13三极管类型的检测MAX1087ETA+T在检测三极管类型时,万用表拔R×100或R×1k挡...[全文]
三极管的状态有三种2019-1-25 18:44:50
三极管的状态有三种:三种状态。MAX1036LEKA+T截止、放大和饱和。下面通过图⒎7所示的电路来说明三极管的三种状态下的电...[全文]
肖特基二极管2019-1-24 19:35:25
肖特基二极管又称肖特基势垒二极管特基二极管实物外形如图6-30(a)所示,HMC241LP3E其连接有多种方式,如图⒍30(b)所示。图⒍30肖特基二极管...[全文]
双向触发二极管的性质2019-1-24 19:25:05
双向触发二极管的性质可用图⒍24所示的曲线来表示,坐标中的横轴表示双向触发二极管两端的电压,HI5728IN纵坐标表示流过双向触发二极管的电流。从图6-24可以看出,当触发二极管两端加正向电压时...[全文]
变容二极管与普通二极管一样2019-1-24 19:16:29
变容二极管与普通二极管一样,加正向电压时导通,加反向电压时截止。在变容HA118727F二极管两端加反向电压时,除了截止外,还可以相当于电容。变容二极管的性质说明如图⒍⒛所示。(l...[全文]
电容器的型号命名方法2019-1-24 15:53:17
电容器的型号命名方法HCF4060M013TR国产电容器型号命名由四部分组成:第一部分用字母“C”表示主称为电容器。第二部分用字母表示电容器的介质材料。...[全文]
固定电容器种类很多2019-1-23 20:29:28
固定电容器种类很多,按应用材料可分为纸介电容器(CZ)、高频瓷片电容(CC)、M11B416256A-35J低频瓷片电容(CT)、云母电容(CY)、聚苯乙烯等薄膜电容(CB)、玻璃釉电容(CI)...[全文]
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