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电磁兼容类标准通常可分为通用标准、产品/产品簇标准及基础标准。2019-2-1 20:13:08
电磁兼容类标准通常可分为通用标准、产品/产品簇标准及基础标准。GD82550GY在进行电磁兼容测试时,优先选用产品标准(如GB19483无绳电话的电磁兼容要求及测量方法),没有产品标准时应选择产...[全文]
电磁骚扰还包括了无用信号2019-2-1 20:05:49
电磁骚扰还包括了无用信号,例如,对于受寻呼台干扰的电视频道雨言,该寻呼台信号对寻呼系统是有用信号,但对被干扰的电视频道则为无用信号。GALI-11DD此外电磁骚扰还包括了传播媒介自身的变化,这属...[全文]
为提高产品和系统的电磁兼容性能起到了极大的促进作用2019-2-1 19:52:59
为了减少电磁干扰所造成的危害,提高产品的电磁兼容性能,保护人身健康、GAL22V10B-15LJ设备安全和电磁环境,以及保护用户和消费者的利益,自⒛世纪gO年代以来,中国国家质量技术监督局开始系...[全文]
新西兰与澳大利亚的电磁兼容管理2019-2-1 19:51:03
新西兰与澳大利亚的电磁兼容管理,主要是依据其1992年公告的无线电波法(RadioCommunic甜onAct)。该法于1996年1月1日生效,并于1997年1月1日起强制实施。对信息技术设备产...[全文]
电源噪声主要会降低芯片的性能2019-2-1 10:51:38
对一条通路中所有逻辑门电路的一切输人设定适当的值,然后追踪信号线上的这个逻辑变化传播到输出端的结果,其输出端的逻辑变化能反映该信号线的逻辑变化,KA339A就称这样的通路为一条敏化通路。这样,根...[全文]
数据整合(data integration)能力常常是yiCld learning的瓶颈之一2019-2-1 10:44:52
在良率提升阶段,使用的光罩,包含一种或者多种产品,或者包含各种特殊设计的测试结构,KA324ADTF通常称为良率学习载体(yieldlearningvehicle)。采用逻辑或者Mem。ry产品...[全文]
在集成电路制造生产过程中,每一个主要的生产步骤之后都会进行一些2019-2-1 10:41:16
根据使用过程中△序是否处于稳态,叉可以分为分析用控制图和控制用控制图:一道I序开始应用控制图时,几乎总不会恰巧处于稳态,也即总存在异囚。KA324A如果就以这种非稳态状态下的参数来建立控制图,控...[全文]
将测量仪器所指示或代表的量值2019-2-1 10:12:22
通过一条具有规定不确定度的不间断的比较链,使测量结果或测量标准的值能够与规定的参考标准(通常是国家计量基准或国际计量基准)联系起来的特性,KA239ADTF称为量值溯源实现量值溯源的最主要的技术...[全文]
器件的电学性能会逐步退化2019-1-31 13:05:58
当集成电路的器件,经过一段时间的下作,器件的电学性能会逐步退化。如阈值D27C512D-20电压(V|b)漂移.跨导(Gm)降低,饱和电流(Jdψ)减小,关态泄漏电流(Ii")升高,最后导致器件...[全文]
失效原丧烘的位错往是在离子注入时形成的2019-1-31 13:03:21
失效机理:久效比特的管lig1111ydopcddrain)lX域、有源lK和sTI(shallow1rcnchisolatiOn)交接lx域存在深度超过源漏离f注入|κ的深度的位错。D27C5...[全文]
改进器件性能和提高器件的成甜工率都有秉要的意义2019-1-31 12:50:47
表面向外的一侧没有近邻原子,农面原子有一部分化学键伸向空闸形成悬挂件,因此,表面具有很活跃的化学性质。曲于表面原F吸附、沾污和偏析,D2764D表面原子种类L9体内不同。曲于表面原子所处的环境与...[全文]
东京电子的刻蚀机主要采用电容耦合等离子(CCP)2019-1-30 19:34:17
东京电子的刻蚀机主要采用电容耦合等离子(CCP),并主要针对各种介质的刻蚀e⒛06年没计的Tclius廴)(lMJi-()x,其目标是用于45nm及其以下I艺节点的逻辑电路工艺。如图8。H"所示...[全文]
透射衰减的相移掩膜版的相移层一般由硅化钼(MoSi)制成2019-1-30 16:55:24
透射衰减的相移掩膜版的相移层一般由硅化钼(MoSi)制成。一般来讲,对于6%左右的透射率有着6%±0.5%左右的控制精度要求。对相移精度有着180°±5°的要求。JA3515-OS-A04随着工...[全文]
不损害NMOS的电子迁移率2019-1-28 22:18:29
对于PMC)S,众所周知,具有(110)晶面取向的衬底比具有(100)晶面取向的衬底的空穴迁移率性能更高。M24C16-WBN6P而对于NMOS,具有(110)晶面取向的衬底比具有(100)晶面...[全文]
可以调制沟道电导进而控制沟道电流2019-1-28 21:55:01
描绘了这种简化了的圆柱体全包围栅无结场效应晶体管器件结构透视图和沿沟道及垂直于沟道方向的器件剖面示意图c在SC)I衬底上晶体管有一个圆柱体的单晶硅沟道,它与器件的源漏区掺杂类型相同(在图中为P型...[全文]
电子与空穴将远离耗尽区而使耗尽区变宽2019-1-28 21:27:49
对于长度小于少子扩散长度的准电中性区域,并假设二极管在接触点处具有无限大的复合速度,其电流密度表达式可以简单地通过将式中扩散长度替换成准电中性区域的宽度而得到。当在PN结二极管的P极施加正电压,...[全文]
两种半导体的交界面附近的区域称为PN结2019-1-28 21:25:34
在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,JM38510/01203BCA两种半导体的交界面附近的区域称为PN结。在P型半导体和N型半导体结...[全文]
NPN型三极管的构成2019-1-25 18:34:52
将两个P型半导体和一个N型半导体按图⒎2(a)所示的方式结合在一起,MA+6431MRUS+T两个P型半导体中的正电荷会向中间的N型半导体中移动,N型半导体中的负电荷会向两个P型半导体移动,结果...[全文]
三极管是一种电子电路中应用最广泛的半导体元器件2019-1-24 20:01:37
三极管是一种电子电路中应用最广泛的半导体元器件,它有放大、饱和和截止三种状态,HX8875-A00BNAG因此不但可在电路中用来放大,还可当作电子开关使用。外形与符号...[全文]
压敏电阻器具有过压时阻值变小的性质2019-1-23 15:17:12
压敏电阻器具有过压时阻值变小的性质,利用该性质可以将压敏电阻器应用在保护电路中。F-ONECHIP4-DB是一个家用电器保护器,在使用时将它接在”0V市电和家用电器之间。在正常工作...[全文]
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