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经济发达的国家和地区对电磁兼容问题都较为重视2019-2-1 19:47:15
经济发达的国家和地区对电磁兼容问题都较为重视,政府甚至采取立法和认证程序来管理相关产品的电磁兼容性能。GAL16V8A-15LP欧盟的CE-EMC指令和美国的FCC法规对世界的影响尤为深远。...[全文]
对电磁兼容理论和技术的研究起步较晚2019-2-1 12:56:02
在我国,对电磁兼容理论和技术的研究起步较晚,直到⒛世纪gO年代初才有组织地系统地研究并制定了国家级和行业级的电磁兼容性标准和规范。1981年航空工业部颁布了第一个较为完整的标准《飞机设备电磁兼容...[全文]
磁兼容技术逐渐成为非常活跃的学科领域之一2019-2-1 12:54:23
磁兼容技术逐渐成为非常活跃的学科领域之一,每年都会召开几次较大规模的国际性电磁兼容学术会议。MAX1122BEGK美国最有影响的电子电气工程师协会“IEEE”的权威杂志,专门设有EMC分册。美国...[全文]
电子设备相互间的干扰越来越严重2019-2-1 12:52:03
由于电子设备的发展及广泛应用,造成了电磁环境的复杂化;由于频谱资源有限,MAX1119EKA+T造成频道拥挤,干扰日益严重。电子设备相互间的干扰越来越严重,可能造成电子设备或系统不能正常工作,甚...[全文]
电磁兼容测量包括测量设备、测量方法、数据处理方法及测量结果的2019-2-1 12:50:08
电磁兼容测量包括测量设备、测量方法、数据处理方法及测量结果的评价等。MAX1117EKA+T由于上述的电磁兼容问题的复杂性,理论上的结果往往与实际相距较远,因而使得电磁兼容测量显得更为重要。美国...[全文]
触发器的存在和布线增加了信号的电容负载2019-2-1 10:56:21
使用扫描测试有两种类型的不利影响,即扫描硬件增加的芯片尺寸以及降低了信号速度。触发器的存在和布线增加了信号的电容负载,时钟速度可能会有5%到1O%的损失.应该经由良好的布局和布线来控制这两个开销...[全文]
控制图(con1rol c11art)是对过稆质量特忤值进行测定、记录、评估2019-2-1 10:37:59
控制图(con1rolc11art)是对过稆质量特忤值进行测定、记录、评估,从而监察过程是否处于控制状态的一种用统汁方法没计的图。KA317LZTA图上有屮心线(Cen1ralI'ine,CI'...[全文]
产品的制造过程日益复杂,对产品的质量要求日益提高2019-2-1 10:35:16
随着科技的发展,产品的制造过程日益复杂,对产品的质量要求日益提高,电子产KA2903品的不合格品率由过去的百分之一、千分之一降低到百万分之一(ppm)。乃至十亿分之一(ppb),仅靠产品检验剔除...[全文]
折射率和消光系数是表征材料光学特性的物理量2019-2-1 10:23:54
椭圆偏振光是最常兕的偏振光,当两个方向上的电场分董具有可变相位差和不同的振幅时,光矢量末端在垂直于传播方向的平面L描绘出的轨迹为-椭圆,故称为椭圆偏振光。椭圆偏光法是一种非接触式、非破坏性的薄膜...[全文]
较早公开使用的SC1浓度一般较高2019-1-30 20:09:27
氧化硅膜随着稀HF的溶解,颗粒和离子污染一并去除,这时的硅表面非常洁净,只有A278308L-12键,ml且表面是疏水性。这样的表面有很强的活性和不稳定性,易吸附污染(颗粒、金属)和被氧化。囚此...[全文]
大规模集成电路制造有很多种可能的沾污2019-1-30 19:54:07
在大规模集成电路制造中,如晶片L1mm2的区域,就可制造几百万颗光学显微镜无法辨认的器件,而各种污染,如颗粒、金属离子污染、HCPL-060L-000E有机物污染、薄膜污染等,时刻影响着芯片器件...[全文]
晶圆的边缘在半导体制造中成为良率限制的主要来源之一2019-1-30 19:52:01
晶边刻蚀是指采用千法刻蚀去除晶圆边缘处所不需要的薄膜,它首先出现于2007年初,LAM公司出产的2300C()RONUS是关键的晶边刻蚀机之一。HCNR201-000E由于在65nm及以下I艺节...[全文]
漏饱和电流(IdMt)是表明器件电性能的基准尺度2019-1-30 19:40:07
关键T艺参数的变化,如多晶硅栅刻蚀的CDU、由密集到稀疏区的刻蚀偏差(TPEB)、HC55185DIMZ线宽粗糙度(I'WR)以及多晶硅栅形状(特别是底部形状)等,必须被很好地控制,以改善器件性...[全文]
均匀的功率沉积在这里是指线圈中的电流保持方位角均匀2019-1-30 19:23:20
MPRS3D展示了在一个圆筒形反应器内,由进气口、抽气口和非均匀功率沉积所造成的硅刻蚀的方位角不均匀性。基本条件包括:压力10mT°rr,⒛00W的13.56MHz射频功率沉积,500K的气体温...[全文]
刻蚀机模拟器需要具有更多的通用功能2019-1-30 19:21:12
所需要的千法刻蚀机模拟器应该强调基础等离子现象,并可以扩展应用到各种反应器形状、复杂的反应类型和不同的激励方式,比如RIE、CCP和1CP。HAT1036R-EL-E从基本的物理学研究的角度来看...[全文]
电子束曝光的优点是分辨率较高2019-1-30 16:51:45
掩膜版数据有以下集中格式:具有等级分别(hierarchical)的GDSII,最早由美国通用电气的Calma部门开发,现在法律归属权由Cadence设计系统公司所有。JA3215-OS-A04...[全文]
NMOS器件的电子迁移率2019-1-29 17:15:15
应力记忆技术(StressMemohzationTechnique,SMT),是90nm技术节点以下兴起的一种着眼于提升NMOS器件速度的应力工程[21J。sMT的特点在于,该技术凭借拉应力作用...[全文]
非晶态碳硅具有较高的刻蚀率2019-1-29 17:11:07
虽然嵌人式锗硅技术从90nm技术节点后已经被广泛应用于大规模量产产品的PMOS器件,KDZTR15B嵌人式碳硅技术的应用却显得异常困难,其中的一个重要原因在于源漏区难以生长出高质量的碳硅。碳硅外...[全文]
通过NF3的刻蚀来重新调整沟槽的形状2019-1-29 14:42:00
通过多步循环沉积蚀一沉积来实现对所填充结构轮廓的调整,来降低沟槽填充的难度。JM38510/20602BCA这样可以在保持HDP本身填充能力的同时,通过NF3的刻蚀来重新调整沟槽的形状,使得更多...[全文]
前栅极工艺路线主要采用MOCVD沉积HsiO2019-1-29 14:28:24
问题的解决方法之一是采用金属代替多晶硅作为栅极,这样既可以避免HK)2和多晶硅界面上缺陷态的产生,同时金属栅极的高的电子密度,可以把偶极性分子的振动屏蔽掉,从而提高器件的通道内的迁移率。JM38...[全文]
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