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电磁骚扰使装置、设备或系统最大允许的性能降低2019-2-1 20:07:37
“用规定方式在规定时间间隔内求得的诸如功率或场参数等时变量的平均值或加杈值。”GD4011B注:电平可用对数来表示,如相对某一参考值的分贝数。“level”一词,在强“对应于规定测...[全文]
设备或系统在其电磁环境中能正常工作2019-2-1 12:46:47
国家标准GB/T0~s―2003(注:本书在引用标准时,带日期的引用仅当前版本适用本书,不带日期的引用则是最新版本适用于本书。下同,不另做说明)《电磁兼容术语》对电磁兼容(EMC)所下的定义为“...[全文]
片的冗余设计由冗余单元行/列和地址解码器组成2019-2-1 10:47:15
片的冗余设计由冗余单元行/列和地址解码器组成。激光修复(laserrepair,I'/R)机台会把需要修复的解码器设定为被测试到的缺陷地址。KA334_Q例如,假设缺陷地址是X=511行...[全文]
测量速度通常由所选择的分光仪器(用来分开波长)来决定2019-2-1 10:32:10
汇聚束技术:汇聚束技术实现一个锥形光束,人射角最小到40°,最大到7O°。探测器KA317LZTA有多个像素可以同时处理测量角度范围内的光线。从最大或最小角度反射来的光靠近束斑的边...[全文]
接触模式是AM最直接的成像模式2019-1-31 13:19:30
在原子力显微镜(AFM)的系统中,所要检测的力是原子与原子之间的范德华力。所以在本系统中是使用微小悬臂(cantilevcr)来检测原子之问力的变化量。D3573D微悬臂通常由一个一般100~5...[全文]
探针的定位与扫描需要非常高的尺寸精度2019-1-31 13:16:17
子力显微镜(AtomicForceMicroscopy,AFM)是扫描探针显微镜(ScanningProbcMicros∞pe,SPM)的一种,它利用非常细小的探针,非常缓慢地在材料表面移动,D...[全文]
碰撞电离产生的电子空穴对会产生更多的电子空穴对2019-1-31 13:00:21
在随机失效阶段,失效率相对比较低广^般为-常数,器件特性慕本恒定,但一发+故障,D27C256D-20则常常是致命的:在磨损失效阶段・早期发明品体管时.人们认为品体管是固体器件、具...[全文]
在膜层中扩散,对膜层的电阻率、隔离等品质造成影响2019-1-30 20:07:19
这里讲的沉积膜,是指炉管和化学气相沉积(CVD)方法根据制程要求所生长的膜。在A276308AL-70膜沉积前后,需要对晶片表面进行清洗,以避免污染在制程间传递和恶化,特别是制程推进到65nn1...[全文]
氧化物的刻蚀速率随着氧气的百分比的提高而下降2019-1-30 19:49:31
随着器件变得更小,如果氯化物/氮化物(()N)隔离的器件与氮化物氧化物氮化物(N()N)隔离的器件相比的话,在有着同样的侧墙宽度的情况下,就sH'C(应力引人的漏电)和yJ移动来说,氧化物/氮化...[全文]
浅槽隔离巾沟槽顶部圆弧结构对减少器件漏电是有好处的2019-1-30 19:19:21
考虑到后续的问隙填充,在孔与沟槽的应用中,纯粹的各向异性刻蚀出的形状是不能接受的。HA17384HPS艺中希望得到大于85°角有轻微锥形的形状,倒锥型形状除了SiGeェ艺外很少用到:浅槽隔离巾沟...[全文]
规则的制定依赖于对一组定标图形的精确测定2019-1-30 16:59:35
学邻近效应修正指的是在掩膜版L对于由衍射导致的曝光线宽偏差进行修正,这里只做简单介绍。JG82870P2SL8AM光学邻近效应修正分为基于规则的修正和基于模型的修正。基于规则的修正(RulcBa...[全文]
掩膜版的制作使用电子束和激光曝光的方式2019-1-30 16:50:03
其中9R为显影速率,ε为曝光能量。其中完全显影对应的能量(doseto),也就是把一定厚度的光刻胶.对一个给定的烘焙和显影程序完全溶解和清洗干净所需要的曝光能量。通常这个能量比曝光能量要低一些。...[全文]
当半导体工艺发展到45nm节点以下2019-1-29 17:20:59
对于65nm节点之前的器件来说,通常只采用一道拉应力氮化硅作为刻蚀阻挡层,可以提升(100)晶面硅衬底上<100)晶向的NMOS的电子迁移率,且对PM(B没有负面作用。当半导...[全文]
常见的机器有多片垂直氮化沉积炉管2019-1-29 9:49:30
氮化硅薄膜可以通过化学气相沉积和原子层沉积法的方法获得,化学气相沉积法一般有低压化学气相沉积氧化工艺、增强等离子体化学气相层积等,常JM38510/10201BCA见的机器有多片垂直氮化沉积炉管...[全文]
电介质的乃值必须随着技术节点不断降低2019-1-29 9:46:32
在后端的互连方面,主要的挑战来自RC延迟。为了降低RC延迟,电介质的乃值必须随着技术节点不断降低。从180/130nm采用掺氟的氧化硅(FSG)到90/65/奶nm采用致密掺碳的氧化硅(SiCO...[全文]
有源区和多晶硅栅区域会以自对准的方式钴的硅化物2019-1-28 22:26:24
去掉,并进行第二次RTA(740℃)。因此,有源区和多晶硅栅区域会以自对准的方式钴的硅化物,这被称为自对准多晶硅化物工艺E"]然后,通过沉积氮氧硅(150A)和磷硅玻璃(PSG,5...[全文]
核心区域和I/O区域都已经生长了晶体管以后2019-1-28 22:24:14
在硅槽形成以后,进行氧化已在槽内形成一层“衬里”,接下来通过CVD的方法在槽内填充氧化物(厚度稍微超过槽的深度)并且进行快速热退火(RTA)使CVD沉积的氧化物更加坚硬。在这之后通过化学机械研磨...[全文]
浸入式光刻是指在投影镜头与硅片之间用液体充满2019-1-28 22:05:23
但是目前已经被改良的193nm技术和193nm浸人式光刻技术所替代。这M24C08-WBN6P可以归功于分辨率技术的提高,尤其是浸人式光刻技术在45nm技术节点上的应用。浸入式光刻是指在投影镜头...[全文]
CMOS的研究已经发展成为近期微电子领域的研究重点2019-1-28 21:59:51
从某种意义上讲,目前htel公司所谓的量子阱场效应晶体管(QWFET)也是一种无结场效应晶体管。M24C08-RMB6TG鉴于高迁移率CMOS技术的重大应用前景,采用高迁移率Ⅱ⒈V族半导体材料替...[全文]
半导体器件与集成电路经历了艰难曲折的发展历程2019-1-28 21:23:34
主要介绍以硅材料为主的半导体器件,以及由这些半导体器件及其他电子元器件所构成的当代集成电路不断按比例缩小所面临的挑战及可能的解决方案。半导体器件与集成电路经历了艰难曲折的发展历程。...[全文]
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