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电磁兼容基础标准、较低频率范围和电磁脉冲的电磁兼容标准2019-2-1 20:10:08
国际上一些技术研究组织和管理协调机构,如国际电信联盟、国际大电网工作会议、GD75232PWE4国际电工委员会(IEC)及无线电干扰特别委员会(CISPR)等,从事电磁兼容的协调、管理和技术标准...[全文]
测量仪器的检定,是指查明和确认测量仪器是否符合法定要求的程序2019-1-31 13:12:13
通过一条具有规定不确定度的不间断的比较链,使测量结果或测量标准的值能够与规定的参考标准(通常是国家计量基准或国际计量基准)联系起来的特性,D2864A称为量值溯源性。实现量值溯源的最主要...[全文]
封装类型:TsOPII妊环氧树脂封装2019-1-31 12:54:10
1)基本情况:sMIC0,18um制程TQV(testqualificationvehiclc),它以sRAM为载体,用于检测产品的质童和可靠性参数。(2)封装类型:TsOPII妊...[全文]
化学放大的光刻胶使用完全不同于DNQ的反应原理2019-1-30 16:48:16
进入了深紫外时代,如248nm、193nm,由于DNQ胶对此光波段的强烈吸收,使得人射光无法穿透光刻胶,这将严重影响分辨率。由于需要更加高的分辨率和灵敏度,JA3205-05-A0...[全文]
Ilias传感器的探测器平面选在光瞳平面的共轭面上v2019-1-30 16:46:05
像差的测量可以通过很多方法,比如阿斯麦公司的硅片平台上的白带干涉仪(Ilias传感器),J4701B3111其原理就是通过在掩膜版对应曝光狭缝不同位置的地方设计小孔,这些小孔发出的球面波会在镜头...[全文]
具有嵌入式锗化硅的PMOS器件2019-1-29 17:23:21
从上面几节中,我们可以看到应力效应不仅可以用来提高NMOS器件性能,而且也KDZTR8.2B可以用来提高PMOS器件性能。除此之外,还有许多报道使用应力效应提升技术来更进一步地提高...[全文]
作为半导体器件和后段互连线之间的金属前通孔2019-1-29 17:18:35
由于NH3比N2更易于解离,所以式(53)的反应中,大部分N离子来源于NH3,N2主要起稀释和平衡气压的作用,但也会参与反应。式(54)的反应则不采用NH3,KDZTR33B直接用N2提供N离子...[全文]
酸槽预处理采用HF和RCA清洗的方法2019-1-29 17:09:04
选择性锗硅外延工艺(SelectiveEpitaxyGrowth,SiGeSEG)一般包含酸槽预处理、原KDZTR13B位氢气烘焙(illsituH2bake)、选择性锗硅外延三个步骤。酸槽预处...[全文]
集成电路工业中广泛使用的驱动电流与应力和沟道方向的相关性2019-1-29 17:07:10
集成电路工业中广泛使用的驱动电流与应力和沟道方向的相关性及其提升CMOS器件性能的方法。KDZTR12B在本章中,我们将讲解一些主要的应变I程技术。5.2节中将讨论源漏区嵌入技术,源漏区嵌人式锗...[全文]
刻蚀速率随着溅射离子对于问隙表面人射角的不同而改变2019-1-29 14:40:18
沉积刻蚀比=总沉积速率/刻蚀速率=(净沉积速率+刻蚀速率)/刻蚀速率实现对间隙的无孔填充的理想条件是在整个沉积过程中始终保持间隙的顶部开放,JM38510/20302BCA以使反应物能进人间隙从...[全文]
从源区至沟道和漏区由两个背靠背的PN结组成2019-1-29 9:42:02
常规的CMOS晶体管,从源区至沟道和漏区由两个背靠背的PN结组成,沟道的掺杂类型与其漏极与源极相反。当足够大的电位差施于栅极与源极之间时,电场会在栅氧化层下方的半导体表面感应少子电荷,形成反型沟...[全文]
高电子迁移率晶体管2019-1-28 21:53:14
Easki和Tsu提出在禁带宽度不同的异质结结构中,离化的施主和自由电子是分离的。即,电子离开施主母体,M24C04-WDW6TP由宽带隙材料一侧进人窄带隙材料一侧。这种分离减少了...[全文]
KA3842B 开关电源控制器2019-1-11 10:08:45
KA3842B/KA3843B/KA3844B/KA3845B开关电源控制器是高性能固定频率电流模式PWM控制器。最优化的离线DC-DC变换器。...[全文]
S212ZK 特点与优势2019-1-10 10:31:09
S212ZK特点与优势...[全文]
ISO1050 是一款电镀隔离的2019-1-9 10:25:31
描述ISO1050是一款电镀隔离的CAN转发器,此转发器符合或者优于ISO11898-2标准的技术规范。此器件有几个由氧化硅(SiO2)绝缘隔栅分开的逻辑输入和输出缓冲器,此绝缘隔...[全文]
主机和扩展模块上都带有I/0电缆,I/0电缆都属于非屏蔽电缆2019-1-3 21:22:56
某工业产品是一个控制器,由主机和扩展模块组成,主机和扩展模块上都带有I/0电缆,I/0电缆都属于非屏蔽电缆,图3.58所示的是该产品EMC测试配置示意图。NG80386SX-25该产品的辐射发射...[全文]
并联1000pF电容作用原理2019-1-3 21:12:19
查阅电容的频率-阻抗特性,得知约1000pF的贴片电容,在保证最短的引线电感时(引线电感较长,会使该电容失效),由于1000pF的电容的自谐振频率约150MHz,NG80386SX20因此可以很...[全文]
芯片的地与电源之间也会随信号的摆动2019-1-3 20:59:38
USB接口能提供双向、NG80386SX/SXL-25实时的数据传输,具有即插即用、可热插拔和价格低廉等优点,目前已成为计算机和数码相机等信息电子产品连接外围设备的首选接口。时下流行的UsB2....[全文]
静电电流引起的辐射2019-1-2 21:34:03
作为良好的抗静电放电干扰设计,有必要做一些补充说明。在图3,41所示的电路中,K7N403609B-PC20当静电放电点在设备的金属外壳上时,由于金属外壳本身存在不良搭接及孔缝,当静电放电电流流...[全文]
EESX671 光传感器2019-1-2 10:49:43
切换受光输出还是遮光输出用的。EESX671不接的话默认就是受光输出,接+也是受光输出,接-是遮光输出切换受光输出还是遮光输出用的。光电开关有四个窗口,负极,outL正极,out为输出L表示...[全文]
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