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芯片依工艺要求,需有一定之厚度2019-2-1 10:58:24
芯片依工艺要求,需有一定之厚度。应用研磨的方法,达到减薄的目标。研磨的第一步KA348为粗磨,目的为减薄芯片厚度到目标值(一般研磨后的厚度为250~300um,随着芯片应用及封装方式的不同会不一...[全文]
容量变化规律2019-1-24 19:18:50
容量变化规律变容二极管加反向电压时可以相当于电容器,当反向电压改变时,其容量就会发生变化。HA7352NE下面以图⒍21所示的电路和曲线来说明变容二极管容量调节规律c...[全文]
伏安特性曲线2019-1-24 16:06:29
在电子工程技术中,常采用HCF4069UM013TR伏安特性曲线来说明元器件的性质。伏安特性曲线又称电压电流特性曲线,它用来说明元器件两端电压与通过电流的变化规律。二极管的伏安特性曲线用来说明加...[全文]
用指针万用表检测电感器2019-1-23 20:09:12
用指针万用表检测电感器PIC16F886-I/SS电感器的电感量和Q值一般用专门的电感测量仪和Q表来测量,一些功能齐全的万用表也具有电感量测量功能。电感器常见的故障有...[全文]
数字万用表的使用 2019-1-21 22:17:02
数字万用表的使用数字万用表与指针万用表相比,具有测量准确度高、测量速度快、输入阻抗大、过载A5191HRTLG-XTD能力强和功能多等优点,所以它与指针万用表一样,在电工电子技术测...[全文]
“CE”标志是一种认证标志2019-1-20 17:31:22
“CE”标志是一种认证标志,被视为制造商打开并进人欧洲市场的护照:凡是贴有“CE”标志的产品就可在欧盟各成员国内销售,无须符合每个成员国的要求,K22X-E9P-N从而实现了商品在欧盟成员国范围...[全文]
本测试应按ISO 1I452-9要求的步骤进行具体说明如下2019-1-18 19:46:38
本测试应按ISO1I452-9要求的步骤进行具体说明如下:●天线到DUT的测试距离及天线的位置、步进、测试正对表面与线束位置的选取方法等信息应记录在EMC测试计戈刂中;M1MA14...[全文]
苦DUT有网络通信功能(如J185o、CAX、HX),应模拟实车条件下的网络2019-1-18 19:15:37
测试应按以下步骡进行:KDZTR12B(1)确定DUT是完全正常的:苦DUT有网络通信功能(如J185o、CAX、HX),应模拟实车条件下的网络通信:具体的网络通信报文、总线利用率...[全文]
汽车电子、电气零部件的EMC测试 2019-1-17 20:41:03
汽车电子、电气零部件的EMC测试JQ1aP-5V-F对于汽车电子、电气零部件EMC测试标准,同样有⒖0114犯、CIsPR乃、I~sO%39、SAEJ1I13等,这些标准同样对汽车...[全文]
电压跌落、短时中断和电压渐变的抗扰度测试目的2019-1-17 20:34:12
电压跌落、短时中断和电压渐变的抗扰度测试目的电压跌落、短时中断是由电网、变电设施的故障或负荷突然出现大的变化所引起的。在某些JQ1a-5V-F情况下会出现两次或更多次连续的跌落或中...[全文]
辐射电磁场抗扰度测试方法2019-1-17 20:19:24
辐射电磁场抗扰度测试方法JM1aN-TMP-DC24V测试时要用1kHz正弦波进行幅度调制,调制深度为⒛%,调制)。将来有可能再增加一项键控调频(欧共体标准已采用)`参见图B9(在...[全文]
立式被测设备的布置2019-1-16 20:26:37
立式被测设备的布置如图B.3所示,具体要求如下:(1)机柜之间的I/O互连线应该自然放置,如果过长能够扎成sO~40cm的线束,就一定要扎;HCF4040M013TR...[全文]
晶振为什么不能放置在PCB边缘2019-1-15 20:38:40
晶振为什么不能放置在PCB边缘【现象描述】ILC5061ALC31X某塑料外壳产品,带一根I/0电缆,在进行船运EMC标准规定的辐射发射测试时发现辐射超标,具体频点是...[全文]
在数/模混合电路的分界区域增加PCB工作地与金属外壳的互连点2019-1-15 20:26:40
从以上分析可知,在数/模混合电路的分界区域增加PCB工作地与金属外壳的互连点。IDT79R3041-20J另外,在本案例产品的情况下,断开模拟侧PCB工作地与金属外壳的互连也会对解...[全文]
 模拟电路区域存在I/0电缆2019-1-15 20:21:02
模拟电路区域存在I/0电缆,yo电缆与参考接地板或金属外壳之间形成较低的阻抗(如150Ω),如图6.95所示。IDT74FCT3244AQ图6.95模拟电路区域存在I...[全文]
晶振内部电路产生RF电流2019-1-13 20:11:51
晶振是一个辐射发射源。晶振内部电路产生RF电流,封装内部产生的RF电流可能很大,KA324ADTF以至于晶体的地引脚不能以很少的损耗充分地将这个很大的Ldj/d扌电流引到地平面,结果金属外壳变成...[全文]
用金属镊子短路一下CPU的复位信号2019-1-12 21:08:01
做以下试验:LM4040BIM3-2.5+T(1)在如图6.13所示的PCB图中的A处加一个0.01uF的去耦电容,重新试验,还是复位。于是在A处将信号断开,在CPU处直接上拉。上...[全文]
高速时钟驱动芯片的负载通常较重2019-1-10 21:48:37
在PCB图中,芯片的下面是一块电源平面,在电源平面的左边和右边分别接了0.1uF的去耦电容和10uF的滤波电容,然后经过磁珠FB5送到芯片的电源引脚Ⅴcc,分别是芯片的4、8、15脚和⒛脚。...[全文]
芯片电流引脚上磁珠与去耦电容的位置2019-1-10 21:46:19
芯片电流引脚上磁珠与去耦电容的位置【现象描述】LFE2M35E-5FN256某产品PCB中有一时钟驱动芯片,在供电电源A5Ⅴ1靠近时钟驱动芯片电源处并联了10uF的滤...[全文]
去耦电容是克服产生尖峰噪声的一种方法2019-1-10 21:43:25
但是,当状态发生变化时,会有一段时间Q3和Q4同时导通,这时在电源与地之间形成短暂的低阻抗,产生30~100n1A的尖峰电流[当门输出从低变为高时,LFE2-70SE5FN676C电源不仅提供短...[全文]
总页数:647 每页记录数:20 当前页数:1 9号彩票 上一页 1 2 3 4 5 6 下一页 尾页

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