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失效原丧烘的位错往是在离子注入时形成的

发布时间:2019-1-31 13:03:21 访问次数:135

    失效机理:久效比特的管lig1111y dopcd drain)lX域、有源lK和sTI(shallow1rcnch isolatiOn)交接lx域存在深度超过源漏离f注入|κ的深度的位错。 D27C512D-15由于位错的存在,会对掺杂的离子有汇聚作用,汇聚的掺杂离子集巾存在-起,容易形成漏电流的通路,造成器件功能失效:

   失效原丧烘的位错往是在离子注入时形成的:制程I∶艺中,在离f注入之后都会对硅片进行退火处J驵.退火的作川^是为激活注人的离子,另外也是为F对注人过程中产1i的品格缺陷进行修复:如果「艺导致品格缺陷过于严重,或退火的时闸、温度不够,退火的程序就不能对品格缺陷进行有效修复,这些缺陷的存在就会对器件的性能产生影响。

   失效分析手法:

   ①分析:根锯sRΛM版图,勹单比特失效桕关的层次为第'层(Ml)∵本地金属F连层(local interconncco或前段制程.丿f封后.该器件川传统的f、湿法并结合研磨自接剥层至M1。

   ②sEM观察:Ml形貌正常.排除Ml刂|起失效的可能性。研磨六掉Ml至钨插寨(contac1)。

   (1)基本情况:sMIC0,18um制程TQV(test qualification vehiclc),它以sRAM为载体,用于检测产品的质童和可靠性参数。

   (2)封装类型:TsOPII妊环氧树脂封装e

   (3)发生失效场合:为验证新封装测试厂产品质量.经历环境测试/HA⒏Γ120小时。

   (4)失效模式:白动测试(ΛTE)连续性/开路。

   (5)失效机理:环氧树脂勹器件表面之问严重分层(爆米花效应),导致Pin Λ8焊接点和铝焊盘脱离。

  (6)失效原因:该封装厂产品密封性差。塑封材料内的水分在高温下受热发生嘭胀,使塑封料与金属柜架和`B片"j发F卜分层讨讧断键合丝或和铝焊盘脱离.发生开路失效:

   (7)所采用的分析方法:C分析:Hr\s'「(highl卜:accclerated tcn1pera1urc humiditys1ress test).加速寿命实验.主要检验环氧树脂封装器件的耐腐蚀能力・如致密性c失效模式:连续性∷.开路。同封装制程质量强相关。因此.用检测封装器件的非破坏性分析手段,

sAM和X Ray进行分析。②外观检查:正常。③SAM:环氧树脂与器件表面之间严重分层。①开封/内部检查及SEM:扫描电镜观察分层导致Pin A8金球/焊接点和铝焊盘脱离,如图1途,31所示。

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