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FDC5614P

发布时间:2019/5/10 17:10:00 访问次数:52 发布企业:西旗科技(深圳)9号彩票




产品描述:FDC5614P

FDC5614P:60VP沟道逻辑电平PowerTrench®MOSFET

9号彩票线路 该60VP沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。已针对电源管理应用进行了优化。


产品特性:FDC5614P

-3A,-60V

RDS(on)=0.105Ω@VGS=-10V.

RDS(on)=0。135Ω@VGS=-4。5V。

快速开关速度

高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)


应用:FDC5614P

该产品是一般用途,适用于许多不同的应用。

制造商 ONSemiconductor 制造商零件编号 FDC5614P 描述 MOSFETP-CH60V3ASSOT-6 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 15周 详细描述 表面贴装-P-沟道-pval-2068-3A(Ta)-1.6W(Ta)-SuperSOT™-6 一般信息 数据列表 FDC5614P;
标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 PowerTrench®
规格 FET类型 P沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 3A(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 105毫欧@3A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 24nC@10V Vgs(最大值) ±20V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 759pF@30V FET功能 - 功率耗散(最大值) 1.6W(Ta) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 SuperSOT™-6 封装/外壳 SOT-23-6细型,TSOT-23-6

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