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FDV303N

发布时间:2019/5/10 17:08:00 访问次数:57 发布企业:西旗科技(深圳)9号彩票




产品描述:FDV303N

FDV303N:数字FET,N沟道

这些高沟度工艺专用于最大限度地降低低栅极驱动条件下的通态电阻而定制。该器件特别为使用一个锂或三个镉或NMH电池的电池电路应用设计。该器件可作为一个转换器使用,或在紧凑型便携电子设备,例如无线电话和传呼器的高效微型分立DC/DC转换中使用。该器件即使在栅极驱动电压低至2。5V时仍具有出色的通态电阻。


产品特性:FDV303N

•25V,0.68A连续电流,2A峰值。

RDS(ON)=0。45Ω@VGS=4。5V

RDS(ON)=0.6Ω@VGS=2.7V.

•栅极驱动电平要求极低,从而可在3V电路中直接运行.VGS(th)<1.0V.

•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。>6kV人体模型。

•紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。

•TN0200T和TN0201T的备选方案。

极低的栅极驱动要求允许在3V电路中直接操作。VGS(th)<1.0V

用于ESD耐用性的栅源齐纳二极管。>6kV人体模型

9号彩票线路 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装

替代TN0200T和TN0201T


应用:FDV303N

该产品是一般用途,适用于许多不同的应用。

制造商 ONSemiconductor 制造商零件编号 FDV303N 描述 MOSFETN-CH25V680MASOT-23 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 42周 详细描述 表面贴装-N-沟道-pval-2068-680mA(Ta)-350mW(Ta)-SOT-23 一般信息 数据列表 FDV303N;
标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 -
规格 FET类型 N沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 25V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 680mA(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.7V,4.5V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 450毫欧@500mA,4.5V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 2.3nC@4.5V Vgs(最大值) ±8V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF@10V FET功能 - 功率耗散(最大值) 350mW(Ta) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 SOT-23 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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