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SI2302CDS-T1-GE3

发布时间:2019/5/10 16:52:00 访问次数:53 发布企业:深圳市嘉轩电子科技9号彩票

数据列表 SI2302CDS;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 TrenchFET®


规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 850mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 710mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

SN65HVD1781DR
SI7611DN-T1-GE3
SI2302CDS-T1-GE3
S1M-E3/61T
PMBT3904,215
PESD2CAN,215
PESD1CAN,215
NX7002AK,215
NSR0320MW2T1G
MRA4007T3G
MMSD4148T1G
MMBTA06LT1G
MMBT4401LT1G
MMBT3906LT1G
MMBT2222ALT1G
MMBFJ310LT1G
MBRS340T3G
MBR0520LT1G
MAX4310ESA+
MAX17055ETB+T
IRFR4615TRLPBF
EPM3064ATI44-10N
EPC1PI8N
BSS138LT1G
BCX56-16,115
BC857B,215
BC856B,215
BC847BW,115
BC846B,215
BC817-40,215
BC807-40,215

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